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光电子芯片及器件制造基地项目总投资约4000万元人民币,旨在填补我国在高速VCSEL和DFB光电子芯片的供应短板,实现国产替代。目前尚未明确具体投产时间,但项目已进入施工阶段,预计2025年12月底前竣工投产。据悉,光电子芯片及器件制造基地项目项目占地面积约25335平方米,主要建设内容包括新建厂房、研发中心等设施,用于光电子芯片及器件的制造。项目将建设多条生产线,用于生产调制器(含强度调制器)、薄膜调制器、调制器芯片、SLD产线、探测器组件等产品。
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